GGU-Verfahrensbeschreibung
Die Widerstandsgeoelektrik       Seite 2 von 4

Widerstandskartierung und -profilierung
 

Prinzip (s. Abb. 2 und 3)

Bei der Widerstandskartierung erfolgt die Messung, indem die Elektroden-Sonden- Anordnung im vorgesehenen Meßraster von Meßpunkt zu Meßpunkt wandert und so flächig der scheinbare spez. Widerstand erkundet wird. Die Meßanordnung bleibt dabei gleich, so daß auch die Eindringtiefe in etwa gleich bleibt. Die Ergebnisse werden als Karte des scheinbaren spez. Widerstandes dargestellt. In vielen Fällen ist es sinnvoll, Kartierungen mit mehreren Eindringtiefen vorzunehmen, um abschätzen zu können, aus welchen Tiefen die erkennbaren Widerstandsveränderungen stammen. Bei der Widerstandsprofilierung erfolgt die Untersuchung und Datendarstellung entlang von Meßlinien.

Meßanordnungen (s. Abb. 4)

Grundsätzlich besteht eine große Wahlfreiheit bei der Anordnung der Elektroden und Sonden in der Widerstandsgeoelektrik. Aus meßtechnischen
und ökonomischen Erwägungen wird aber nur eine kleine Anzahl von Möglichkeiten verwendet. Überwiegend befinden sich die Elektroden bzw. Sonden in eine Linie, so daß die Widerstandsbestimmung stark richtungsabhängig ist. Es kann deshalb sinnvoll sein, mit mehreren Auslagerichtungen zu messen, um orientierte Strukturen besser erfassen zu können (z.B. Klüfte).

Die am häufigsten verwendete Anordnung für die Kartierung bzw. -Profilierung ist die nach Wenner. Bei ihr haben alle Elektroden und Sonden den gleichen Abstand a. Der Vorteil der Wenneranordnung liegt in der geringen Empfindlichkeit auf laterale Inhomogenitäten. Die Dipol-Dipol-Anordnung liefert eine erhöhte laterale Auflösung. Die Gradientenanordnung erlaubt für geringe Untersuchungstiefen eine rasche Kartierung, weil A und B fix bleiben. Für sie werden i.a. keine spez. Widerstände berechnet.
 

Tiefenangaben/Genauigkeit

Mit der Festlegung der Anordnung bzw. der Länge ihrer Auslage wird eine grobe Eindringtiefe gewählt. Die Eindringtiefenangabe besagt, daß die Wirkung des Untergrundes bis etwa in diese Tiefe integral erfaßt wird. Eine erste Näherung für die Eindringtiefe ist 1/4 der Gesamtlänge der Anordnung. Die tatsächliche Eindringtiefe hängt neben der Anordnung von den Schichtmächtigkeiten und den spez. Widerständen ab. Beispielsweise wird bei einer hochohmigen Deckschicht der Strom in die niederohmige liegende Schicht geleitet, wodurch die Eindringtiefe steigt. Umgekehrt bewirkt eine niederohmige Deckschicht, daß der Strom nur bei stark vergrößerter Auslage in eine liegende hochohmige Schicht eindringt. Das laterale Auflösungsvermögen stimmt grob mit der Eindringtiefe überein. Inhomogenitäten nahe der Elektroden können den Meßwert verfälschen. Bei sehr hoher Anforderung ist deshalb eine Datenredundanz wünschenswert (Überlappung der Messungen).

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